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41.
吴伟  王振清 《物理实验》2007,27(5):21-24
采用AVR单片机AT90S8515作为控制核心,通过步进电机带动丝杠运动,利用光栅编码器、高精度力传感器、2个引伸计分别测量了位移、力及试件横、纵变形,在老式电子万能材料实验机上建立了新型计算机控制系统,可方便测定弹性模量和泊松比.  相似文献   
42.
增量式轴角编码器的电子细分及零位处理   总被引:15,自引:5,他引:10  
徐洲  胡晓东  罗长洲  谷林 《光子学报》2002,31(12):1497-1500
使用单片机对增量式光电轴角编码器产生的叠栅条纹信号进行计数和电子细分,便可将轴的机械转动模拟量转换成数字量;加上固定参考零位后,可使编码器具有"记忆"功能,因此对如何解决零位技术问题做了详细分析说明,并给出了实际解决方案.  相似文献   
43.
We have simulated the coupling loss of three types of Inverse Taper and taper-lensed fiber using three dimensional (3D) semi-vectorial beam propagation methods (BPM) respectively. Our results showed that the performances of exponential inverse taper and quadratic inverse taper were better than the commonly used linear inverse taper. Especially, for TM mode the improvement in the reduction of devices size is 53% and 136% for exponential and quadratic inverse taper compared with the linear inverse taper.  相似文献   
44.
 研制了一台重复率Tesla型相对论电子束加速器。空心Tesla变压器对充油Blumlein传输线充电;主开关为自击穿油间隙;二极管为平面阴极有箔二极管。试验是在重复率为0.2Hz和1Hz下分别进行。当重复率为0.2Hz时,加速器连续重复放电70次以上。二极管电压幅值300kV,脉宽30ns,上升沿约5ns。  相似文献   
45.
采用正弦微窗光栅的位移传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
研制了一种新型的光栅位移传感器,它采用了一种被作者称为正弦微窗光栅的新元件作为指示光栅,用于消除光栅信号中的高次谐波,所为正弦微穿光栅是一种由许多微小的正弦穿孔排列组成的光栅。介绍了采用光学图形发生器和刻蚀镀膜工艺制造这种光栅的方法。并将制成的正弦微穿光栅用于光栅位移传感器的设计。实验表明,新型传感器能够很好地抑制光栅信号中的高次谐波,可将高次谐波总旧降至基波的2%以下。  相似文献   
46.
曾祥伦 《大学物理》1999,18(8):19-20
通过数学推导,对单相变压器负载分别为电感性,电阻性及电容性三种情况时的外特性作了定量的分析,从而弥补了传统的运用实验验证或用相量图进行定性分析的不足。  相似文献   
47.
一种重复频率的-功率脉冲发生器   总被引:7,自引:4,他引:3       下载免费PDF全文
介绍了一种由 Tesla 变压器和同轴脉冲形成线组成的高功率、高重复频率的脉冲发生器,其特点是结构紧凑,容易实现小型化。简述了该发生器的结构,论述了基本原理和特性,分析了应用前景。  相似文献   
48.
 给出了在单纯断路开关调节电路(F型)、断路开关-变压器调节电路(FT型)和变压器-断路开关调节电路(TF型)三种类型的电爆炸断路开关的理论模型和数值模拟结果,并对其性能进行对比和分析。  相似文献   
49.
叙述了利用生成炔亚铜的反应来定量测定微量炔烃的分光光度法。研究表明,在严格控制氨的浓度、保持足量的还原剂的条件下,可以有效地消除反应介质、反应时间、反应物的浓度、空气中的氧等对测定的影响,获得满意的定量结果。该方法已在实际生产中得到应用。  相似文献   
50.
二苄基二硫醚(DBDS)与二苄基硫醚(DBS)是变压器内部主要腐蚀性硫化物,能腐蚀铜绕组,破坏变压器的安全运行.为从微观层面探究两者腐蚀性能的差异,基于密度泛函理论(DFT)对DBDS与DBS的腐蚀性能进行对比研究.计算了DBDS/Cu(110)吸附模型与DBS/Cu(110)吸附模型的功函变化,发现DBDS/Cu(110)的功函变化ΔΦ_1(-0.388 eV)绝对值要小于DBS/Cu(110)功函变化ΔΦ_2(-1.118 eV)绝对值,说明DBS更易吸附Cu(110)表面;DBDS在Cu(110)表面的吸附能E_(ads1)为8.571 eV,DBS在Cu(110)表面吸附能E_(ads2)为6.077 eV,表明两者都不能自发吸附,需要从外界吸热才能吸附,且DBS从外界获取能量更少,更容易吸附.同时比较了DBDS分子与DBS分子前线轨道分布以及HOMO轨道与LUMO轨道能量差,计算了DBDS分子与DBS分子的电负性,结果表明:DBDS电负性大小为3.132 eV,DBS电负性大小为3.100 eV,两者基本相等.而DBDS前线轨道能量差(2.610 eV)明显小于DBS前线轨道能量差(3.610 eV), DBDS优化前后的S-S键长分别为2.033?和3.057?,说明DBDS更容易与Cu发生反应.以上模拟结果说明,DBS更易吸附于Cu,而DBDS更易与Cu发生反应.  相似文献   
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